تأثیر پرتو گاما بر جوانه‌زنی هاگ و رشد ریسه‌ای پنی‌سیلیم اکپانسیم عامل بیماری پس از برداشت میوه‌ی سیب

بیماری کپک آبی با عامل پنی­سیلیم اکپانسیم به عنوان خسارت­زاترین عامل بیماری در طول دوره­ی انبارمانی مطرح می­باشد. در این تحقیق، اثر بازدارندگی دزهای مختلف پرتو گاما بر جوانه­زنی هاگ و ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم، عامل بیماری پس از برداشت میوه­ی سیب مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور پنی­سیلیم اکپانسیم از میوه­های سیب آلوده با علایم لهیدگی جداسازی شد. برای بررسی تاثیر پرتو گاما بر جوانه­زنی، سوسپانسیون هاگ قارچ (با غلظت 104 هاگ برمیلی­لیتر) در معرض دزهای 0، 100، 300 و 600 گری پرتو گامای دستگاه گاماسل با چشمه­ی کبالت-60 و با نرخ دز 0.2  گری در ثانیه قرار گرفت. هم­چنین برای بررسی اثر پرتو گاما بر رشد ریسه­ای، یک قطعه­ی  0.5 سانتی­متری از کلنی سه روزه­ی قارچ به محیط کشت سیب­زمینی- دکستروز- آگار انتقال یافته و با دزهای 0، 1500، 2000، 2500،3000 و 3500 گری پرتودهی گردید. نتایج حاصل نشان داد که پرتودهی با دز حدود 600 گری، به طور کامل مانع جوانه­زنی هاگ قارچ می­شود، و دزهای بالاتر از 3000 گری توانست به طور کامل مانع رشد ریسه­ای پنی­سیلیم اکپانسیم شود.